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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
186
周辺 87% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
3.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
2.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
186
読み出し速度、GB/s
16.0
3.9
書き込み速度、GB/秒
12.5
2.0
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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