RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
186
Wokół strony 87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
3.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
2.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
186
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
3.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link