RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
11.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
24
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
16
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
22
読み出し速度、GB/s
16.0
17.0
書き込み速度、GB/秒
12.5
11.9
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link