RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2717
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link