RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
46
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2717
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link