RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
28
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
3564
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link