RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
28
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
18
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
3564
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link