RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
67
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
2042
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link