RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
3437
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link