RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
20.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
3437
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link