RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
39
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
2159
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link