RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
20.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
2159
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link