RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
CompuStocx (CSX) 2GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link