G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 29
    Rund um 24% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 13.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.5 left arrow 9.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13% höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    22 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 13.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.5 left arrow 9.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3679 left arrow 2419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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