G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    22 left arrow 29
    Por volta de 24% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.9 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.5 left arrow 9.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
    Por volta de 1.13% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    22 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.9 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    13.5 left arrow 9.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3679 left arrow 2419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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