RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
23
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
23
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
12.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
3098
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link