RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3098
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link