RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
23
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3098
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link