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G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
14
22
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
26.4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
14
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
26.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
19.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3671
4362
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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