RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Porównaj
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
22
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
26.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
14
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
26.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.4
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3671
4362
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link