RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Vergleichen Sie
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gesamtnote
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
13.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2901
3518
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link