RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Comparar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Pontuação geral
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de 24% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
11.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.2
13.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2901
3518
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link