RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
6.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
1908
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link