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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.6
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
4,577.1
11.0
写入速度,GB/s
2,066.5
6.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
1908
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
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Kingston 9905703-011.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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