RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
49
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2618
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link