RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
49
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
14.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3380
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link