RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
49
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3182
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link