RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3182
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link