RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
49
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2229
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link