RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
64
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3341
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link