RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
64
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3341
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link