RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
64
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3341
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link