RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2902
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link