RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2892
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link