Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Unterschiede

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,906.1 left arrow 1,903.1
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    61 left arrow 66
    Rund um -8% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    66 left arrow 61
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,323.0 left arrow 4,668.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,906.1 left arrow 1,903.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    703 left arrow 735
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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