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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
比较
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
总分
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1,906.1
1,903.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
66
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
66
61
读取速度,GB/s
4,323.0
4,668.9
写入速度,GB/s
1,906.1
1,903.1
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
703
735
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
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