Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    1,906.1 left arrow 1,903.1
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    61 left arrow 66
    En -8% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    66 left arrow 61
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,323.0 left arrow 4,668.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,906.1 left arrow 1,903.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    703 left arrow 735
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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