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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Compara
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,906.1
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
66
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
66
64
Velocidad de lectura, GB/s
4,323.0
4,477.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,906.1
1,869.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
703
697
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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