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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
比较
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1,906.1
1,869.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
66
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
66
64
读取速度,GB/s
4,323.0
4,477.7
写入速度,GB/s
1,906.1
1,869.1
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
703
697
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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