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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
69
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
69
读取速度,GB/s
9.2
16.4
写入速度,GB/s
8.1
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1995
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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