RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
49
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2928
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB RAM-Vergleiche
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link