RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
49
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2928
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link