RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
49
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3287
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link