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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
4,577.1
16.0
写入速度,GB/s
2,066.5
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3287
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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