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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
76
77
左右 -1% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
76
读取速度,GB/s
3,405.2
15.7
写入速度,GB/s
2,622.0
8.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1809
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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