RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
53
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2356
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link