RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
62
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
1808
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link