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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
62
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
62
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
7.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
1808
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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