RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
73
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
1724
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link