RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
71
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
1986
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link