RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
68
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2007
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-1600 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link